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参数目录40170
> FDW2507N MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
型号:
FDW2507N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDW2507N PDF
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
19 毫欧 @ 7.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2152pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
带卷 (TR)
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